P型GaN和AlGaN外延材料的制备

• 作者: 刘祥林 汪度 王成新 王晓晖 王良臣 陆大成 韩培德
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: P型 GaN AlGaN
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 2927字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.08.007

摘要

研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺,包括掺杂剂量和热退火条件,对材料电学性质的影响.得到了性能优良的P型材料,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体材料开放实验室	19	103	5.0	9.0
2	韩培德	中国科学院半导体材料开放实验室	35	127	6.0	9.0
3	汪度	中国科学院半导体材料开放实验室	9	20	3.0	3.0
4	陆大成	中国科学院半导体材料开放实验室	13	45	4.0	6.0
5	王成新	中国科学院半导体材料开放实验室	19	921	12.0	19.0
6	王晓晖	中国科学院半导体材料开放实验室	11	21	3.0	3.0
7	王良臣	中国科学院半导体材料开放实验室	31	192	8.0	13.0