基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制

• 作者: 刘新宇 李诚瞻 罗卫军 陈晓娟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiC AlGaN/GaN HEMT 自热效应 外延材料
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 738-740
• 页数: 3页
• 分类号: TN355
• 字数: 1675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.002

摘要

本文报道了基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)生长,器件栅长0.8 μm,输出电流密度达到0.94 A/mm,在5.4 GHz下,单指型管芯获得了3.1 W/mm的连续波测试功率,与蓝宝石衬底的器件相比,由于自热效应的有效改善,输出功率能力大大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0
3	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
4	罗卫军	中国科学院微电子研究所	17	35	4.0	5.0