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摘要:
采用MOCVD制备了带有AlN插入层的高Al组份AlGaN/GaN异质结构外延材料,在此外延材料的基础上利用磁控溅射Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极,利用EB蒸镀Ni/Au肖特基接触电极制备了AlGaN/GaN SBD,对外延材料和器件的性能进行了相关测试,测试结果表明:器件开启电压约为1.1V,-10 V时反向漏电流小于0.5 μA,反向击穿电压68.3 V,器件具有非常明显的整流特性,同时有AlN插入层的器件的正向、反向特性均优于不带AlN的器件,AlN插入层可以有效地提高器件的性能.
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内容分析
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文献信息
篇名 高Al组份AlGaN/GaN异质外延材料生长及肖特基势垒二极管制备
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 AlN插入层 AlGaN/GaN SBD 欧姆接触 肖特基接触
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 3597-3600
页数 4页 分类号 TN304
字数 1579字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王侠 西安科技大学电气与控制工程学院 16 32 3.0 4.0
2 王进军 陕西科技大学理学院 14 24 3.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
AlN插入层
AlGaN/GaN SBD
欧姆接触
肖特基接触
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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