高Al组份AlGaN/GaN异质外延材料生长及肖特基势垒二极管制备

• 作者: 王侠 王进军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN插入层 AlGaN/GaN SBD 欧姆接触 肖特基接触
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3597-3600
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1579字
• 语种: 中文

摘要

采用MOCVD制备了带有AlN插入层的高Al组份AlGaN/GaN异质结构外延材料,在此外延材料的基础上利用磁控溅射Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极,利用EB蒸镀Ni/Au肖特基接触电极制备了AlGaN/GaN SBD,对外延材料和器件的性能进行了相关测试,测试结果表明:器件开启电压约为1.1V,-10 V时反向漏电流小于0.5 μA,反向击穿电压68.3 V,器件具有非常明显的整流特性,同时有AlN插入层的器件的正向、反向特性均优于不带AlN的器件,AlN插入层可以有效地提高器件的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王侠	西安科技大学电气与控制工程学院	16	32	3.0	4.0
2	王进军	陕西科技大学理学院	14	24	3.0	4.0