p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱

• 作者: 刘军林 吴小明 张建立 江风益 王小兰 郑畅达 魏铎垒
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 黄绿双波长LED p-GaN插入层 发光光谱
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 146-152
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4|TN383+.1
• 字数: 3975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204102.0146

摘要

采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的In-GaN基黄绿双波长LED外延材料,研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流子分布及外量子效率(EQE)的影响.通过LED变温电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征.结果表明,100 K小电流时随着电流密度的增大,三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值越来越大,且5.5 A·cm-2的电流密度下,随着温度从300 K逐步降低至100 K,三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值也越来越大,说明其载流子都在更靠近p型层的位置发生辐射复合.三组样品的p-GaN插入层厚度为0,10,30 nm时,EQE峰值依次为29.9％、29.2％和28.2％,呈现依次减小的趋势,归因于p-GaN插入层厚度越大,p型层越远离有源区,空穴注入也越浅.电子阻挡层前p-GaN插入层可以有效减小器件EL光谱中绿光峰随着电流密度增加时峰值波长的蓝移(33 nm),实现了对低温发光光谱的调控.