量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

• 作者: 全知觉 廖芳 张建立 江风益 王小兰 莫春兰 郑畅达
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绿光LED 量子垒 生长速率 外量子效率
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 429-434
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TN383+.1
• 字数: 3271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204104.0429

摘要

利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料.在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响.使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征.实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升.我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江风益		4	1	1.0	1.0