MOVPE 生长 InGaN/GaN 单量子阱绿光LED

• 作者: 刘祥林 汪度 王晓晖 袁海荣 陆大成 韩培德
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: MOVPE InGaN 单量子阱 绿光LED
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 38-39
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 1182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2001.02.009

摘要

采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/G aN单量子阱结构的绿光发光 二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ，在20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。当注入电流小于40mA时 ，发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的InGaN单量子阱结构的 绿光LED。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体研究所	19	103	5.0	9.0
2	韩培德	中国科学院半导体研究所	35	127	6.0	9.0
3	汪度	中国科学院半导体研究所	9	20	3.0	3.0
4	陆大成	中国科学院半导体研究所	13	45	4.0	6.0
5	王晓晖	中国科学院半导体研究所	11	21	3.0	3.0
6	袁海荣	中国科学院半导体研究所	8	39	4.0	6.0