MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

• 作者: 刘祥林 汪度 王晓晖 袁海荣 陆大成 韩培德
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN InGaN AlGaN 双异质结 量子阱 蓝光LED 绿光LED MOVPE
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.001

摘要

报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体研究所	19	103	5.0	9.0
2	韩培德	中国科学院半导体研究所	35	127	6.0	9.0
3	汪度	中国科学院半导体研究所	9	20	3.0	3.0
4	陆大成	中国科学院半导体研究所	13	45	4.0	6.0
5	王晓晖	中国科学院半导体研究所	11	21	3.0	3.0
6	袁海荣	中国科学院半导体研究所	8	39	4.0	6.0