GaN基蓝色LED的研究进展

• 作者: 段猛 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 蓝光LED 发展进程
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 60-65
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 4551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.01.014

摘要

介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	段猛	西安电子科技大学微电子研究所	4	35	3.0	4.0