硅衬底GaN基LED的研究进展

• 作者: 刘和初 周毛兴 方文卿 江风益 王立 莫春兰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 GaN Si衬底
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 422-429
• 页数: 8页
• 分类号: TN312.8|O472
• 字数: 5680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.013

摘要

与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注.本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展, 同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31 Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
2	方文卿	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	200	8.0	13.0
3	王立	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	48	324	10.0	14.0
4	刘和初	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	5	69	4.0	5.0
5	周毛兴	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	57	2.0	2.0
6	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0