高亮度GaN基蓝色LED的研究进展

• 作者: 文尚胜
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 蓝色LED 欧姆接触 刻蚀
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 10-17
• 页数: 8页
• 分类号: TN365
• 字数: 7633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.002

摘要

超高亮度GaN基蓝色LED的发展将会引起照明技术的一场革命,它是目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文综合分析了了GaN材料的特性及相应的材料生长和欧姆接触、刻蚀工艺等关键技术,并对GaN基蓝色LED器件的进一步改进及应用前景作了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文尚胜	华南理工大学光通信材料研究所	96	434	11.0	15.0