高亮度InGaN基白光LED特性研究

• 作者: 丁晓民 于彤军 张国义 李忠辉 杨志坚
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光源 InGaN YAG 白光LED
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 390-392
• 页数: 3页
• 分类号: TN301
• 字数: 1148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.05.015

摘要

利用自行研制的InGaN/GaN SQW蓝光LED 芯片和YAG:Ge3+荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3),并对其发光强度、色度坐标、I-V、色温及显色性等特性进行了研究.实验结果表明:室温下,正向电流为20mA时,白光LED的轴向发光强度为1.1～2.3cd,正向电压小于3.5V,色度坐标为(0.28,0.34),显色指数约为70.