异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展

• 作者: 侯肖瑞 周圣明 林辉 滕浩 王军 贾婷婷
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 HVPE 蓝宝石 碳化硅 铝酸锂
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 501-505
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3533字
• 语种: 中文

摘要

氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段.氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法.衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向.