用MOCVD法在LiGaO2(001)上生长GaN的研究

• 作者: 干福熹 张荣 徐军 李抒智 杨卫桥 邓佩珍
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN LiGaO2 MOCVD法
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 215-219
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3310字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.035

摘要

LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	徐军	中国科学院上海光学精密机械研究所	290	2418	22.0	34.0
3	邓佩珍	中国科学院上海光学精密机械研究所	88	747	14.0	22.0
4	杨卫桥	中国科学院上海光学精密机械研究所	19	138	6.0	11.0
5	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
6	李抒智	中国科学院上海光学精密机械研究所	16	113	6.0	10.0