原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
文章分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略.
推荐文章
GaN生长工艺流程实时监控系统
半导体工艺/ECR-MOCVD
外延生长
实时监控
光电隔离
水质自动监测系统工艺流程探讨
水质
自动监测系统
工艺流程
MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究
MOCVD
GaN
光致发光
X射线双晶衍射
Hall测量
MOCVD生长GaN材料的模拟
GaN
MOCVD
计算流体力学
模拟
局域Ⅴ/Ⅲ比
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 GaN生长工艺流程实时监控系统
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 ECR-MOCVD 外延生长 GaN薄膜 实时监控 光电隔离
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目 微电子技术
研究方向 页码范围 60-64
页数 5页 分类号 TP27
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2002.01.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 顾彪 41 363 12.0 18.0
2 徐茵 26 207 8.0 13.0
3 杨大智 84 1226 20.0 31.0
4 王三胜 13 97 5.0 9.0
5 王知学 3 7 2.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (4)
2002(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2003(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2004(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2007(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2012(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2013(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
ECR-MOCVD
外延生长
GaN薄膜
实时监控
光电隔离
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导