GaN生长工艺流程实时监控系统

• 作者: 徐茵 杨大智 王三胜 王知学 顾彪
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体工艺/ECR-MOCVD 外延生长 实时监控 光电隔离
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、机械工程
• 页码范围: 701-706
• 页数: 6页
• 分类号: TP273.5|TP302.1
• 字数: 3694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8608.2001.06.016

摘要

分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控.并提出了一种合适的工艺流程监控策略,阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行.实践证明,软硬件系统设计合理、抗干扰措施完善,很好地保证了工艺流程的连续可靠运行,实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高,并对类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾彪	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	41	363	12.0	18.0
2	徐茵	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	26	207	8.0	13.0
3	杨大智	大连理工大学材料工程系	84	1226	20.0	31.0
4	王三胜	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	13	97	5.0	9.0
5	王知学	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	3	7	2.0	2.0