用MOCVD法制备TiO2薄膜

• 作者: 崔丽萍 张建明
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: 二氧化钛 薄膜 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 化学工程与技术
• 页码范围: 222-225
• 页数: 4页
• 分类号: TQ134.1+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9432.2003.02.035

摘要

用低压MOCVD法,以四异丙纯钛为源物质,高纯氮气作为载气,氧气为反应气体,制备出了TiO2薄膜.考察出了沉积温度、基片距离均对沉积速率有影响,发现在不同反应条件下TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建明	太原理工大学化学工程与技术学院	20	64	4.0	7.0
2	崔丽萍	太原理工大学化学工程与技术学院	15	138	6.0	11.0