MOCVD生长GaN材料的模拟

• 作者: 孙长征 罗毅 邵嘉平 郝智彪 郭文平 韩彦军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOCVD 计算流体力学 模拟 局域Ⅴ/Ⅲ比
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 735-739
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.020

摘要

基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺.研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响.