N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长

• 作者: 张东国 彭大青 李亮 李忠辉 罗伟科 董逊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1500-1504
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133411.1500

摘要

采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜.通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性.通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响.研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好.采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董逊	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	39	3.0	6.0
2	李亮	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0
3	李忠辉	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	25	3.0	4.0
4	罗伟科	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	2	13	1.0	2.0
5	彭大青	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0