缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响

• 作者: 刘祥林 吴洁君 康亭亭 李杰民 王占国 王晓晖 韩修训 魏宏远 黎大兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 缓冲层厚度 GaN 蓝宝石衬底 MOCVD
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 466-470
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.018

摘要

本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.