NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响

• 作者: 叶丽云 季雅静 秦会斌
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 铁镍薄膜 磁电阻 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2006.05.004

摘要

用直流磁控溅射方法制备了以Ta为缓冲层的Ni80Fe20薄膜.研究了NiFe层厚度对薄膜电阻变化量ΔR的影响.实验发现ΔR随NiFe厚度先变大后减小,最大约为0.3Ω,当NiFe厚度达到140nm后ΔR趋于饱和.其变化的原因是NiFe厚度影响着晶粒尺寸和表面粗糙度,进而影响着电子的散射,使ΔR呈现上述的变化趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦会斌	杭州电子科技大学电子信息学院	237	1329	17.0	25.0
2	叶丽云	杭州电子科技大学电子信息学院	3	7	2.0	2.0
3	季雅静	杭州电子科技大学电子信息学院	1	5	1.0	1.0