制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响

• 作者: 张万里 张文旭 彭斌 胡凌桐
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: NiFe薄膜 Ta缓冲层 AMR效应 真空磁场退火 磁控溅射 超薄金属薄膜
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 26-29,35
• 页数: 5页
• 分类号: TM271
• 字数: 3059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.08.005

摘要

NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件.本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、 退火温度和退火时间对厚度小于20 nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响.研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律.最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5 nm,NiFe薄膜为11 nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5 h.本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
3	张文旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	302	9.0	16.0
4	胡凌桐	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0