膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响

• 作者: 卢志红 吴丹丹 李佐宜 邱进军
• 来源期刊: 华中理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁阻效应 矫顽力 交换耦合场
• 年，卷（期）: 1999,（7）
• 页码范围: 74-76
• 页数: 3页
• 分类号: TM271
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.1999.07.026

摘要

用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系,结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大.当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而Hc则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小.对于NiO(70nm)/NiFe(t1)/Cu(2.2nm)/NiFe(t2)自旋阀多层膜材料 (括号内的量表示厚度),研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响,结果表明:被钉扎层NiFe的厚度为3nm,自由层NiFe的厚度为5nm时,MR值最大,约为1.6%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佐宜	华中理工大学电子科学与技术系	16	50	4.0	6.0
2	卢志红	中国科学院上海冶金研究所	3	2	1.0	1.0
3	邱进军	华中理工大学电子科学与技术系	5	3	1.0	1.0
4	吴丹丹	华中理工大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0