Ta,Ta/CU缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响

• 作者: 于广华 姜宏伟 朱逢吾 李明华 蔡建旺
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: MFe/FeMn 交换偏置场 织构 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2230-2234
• 页数: 5页
• 分类号: TM27
• 字数: 3892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.11.036

摘要

采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的一系列NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn 双层膜的交换偏置场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大.测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分.结果表明,以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe/FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明华	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	15	87	6.0	9.0
3	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
6	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
7	蔡建旺	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	14	170	7.0	13.0
8	姜宏伟	首都师范大学物理系	30	107	7.0	9.0