Cu层厚度对NiFe/Cu/Co 的巨磁电阻效应影响

• 作者: 于军 李佐宜 谢基凡 郑远开
• 来源期刊: 华中理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多层膜 巨磁电阻效应 磁控射频溅射
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 1536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.1999.01.015

摘要

用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佐宜	华中理工大学电子科学与技术系	16	50	4.0	6.0
2	于军	华中理工大学电子科学与技术系	13	68	5.0	7.0
3	郑远开	华中理工大学电子科学与技术系	5	12	2.0	3.0
4	谢基凡	华中理工大学电子科学与技术系	5	18	2.0	4.0