原文服务方: 安徽工业大学学报(自然科学版)       
摘要:
研究了 Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜中,发现在 Si的标称厚度 tSi=1.9 nm附近存在一较强的反铁磁耦合( AFM)峰和与之相对应的负磁电阻峰。在 Si层中掺入 6%的 Cu后,发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低,峰宽变窄,峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的缝宽和峰位变化与 AFM峰相似,而磁电阻峰值则略有下降。在液氮温度 T=77 K下,掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品的电阻率都降低,而磁电阻效应和饱和场均增大。实验结果表明,用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属 /非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。
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文献信息
篇名 Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响
来源期刊 安徽工业大学学报(自然科学版) 学科
关键词 多层膜 巨磁电阻效应 层间耦合
年,卷(期) 2001,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 188-192
页数 5页 分类号 O482.5
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-7872.2001.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 童六牛 安徽工业大学冶金工程系 8 15 2.0 3.0
2 何贤美 安徽工业大学冶金工程系 9 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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多层膜
巨磁电阻效应
层间耦合
研究起点
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期刊影响力
安徽工业大学学报(自然科学版)
季刊
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34-1254/N
大16开
1984-01-01
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