纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响

• 作者: 丁雷 于广华 滕蛟 王东伟 王乐
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ni81Fe19薄膜 各向异性磁电阻 纳米氧化层 镜面反射
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 分类号: TM271
• 字数: 4588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2007.03.016

摘要

采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响.实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化.将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能.当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	88	372	9.0	14.0
2	滕蛟	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	37	132	6.0	9.0
3	王乐	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	8	35	4.0	5.0
4	丁雷	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	4	17	2.0	4.0
5	王东伟	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	2	8	1.0	2.0