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摘要:
采用一锅法合成不同形貌、尺寸的氧化铟锡(ITO)纳米晶,并通过旋涂工艺制备ITO纳米晶薄膜,研究不同形貌、尺寸ITO纳米晶制备的薄膜的近红外光谱调控性能。结果表明:5次旋涂后,ITO纳米晶薄膜的可见光透过率为89.2%,电阻率为54Ω·cm。平均直径为(6.88±1.53) nm的均匀球形ITO纳米晶制备的薄膜表现出最优的近红外光谱调控能力,在施加±2.5 V电压后,其在2000 nm的光谱调制量为39.3%,光密度变化量为0.43。在电致变色前后,ITO纳米晶薄膜始终保持高可见光透过率。ITO纳米晶的电致变色是由于电子注入/脱出导致的局域表面等离子体共振(LSPR)频率和强度变化引起,其电致变色过程是通过电容充放电实现的。
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文献信息
篇名 氧化铟锡纳米晶薄膜的制备 及其电致变色性能
来源期刊 材料工程 学科
关键词 氧化铟锡 电致变色 纳米晶薄膜 智能窗
年,卷(期) 2023,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 215-221
页数 7页 分类号
字数 语种 中文
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材料工程
月刊
1001-4381
11-1800/TB
大16开
北京81信箱-44分箱
1956-05-01
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