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直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究
直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究
作者:
商世广
朱长纯
原文服务方:
西安交通大学学报
氧化铟锡薄膜
磁控溅射
方块电阻
摘要:
提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150 ℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350 ℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7 Ω降到66.8 Ω,相应的电阻率由4.1×10-3 Ω·cm降到7.9×10-4 Ω·cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.
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文献信息
篇名
直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究
来源期刊
西安交通大学学报
学科
关键词
氧化铟锡薄膜
磁控溅射
方块电阻
年,卷(期)
2007,(2)
所属期刊栏目
专题研究
研究方向
页码范围
236-240
页数
5页
分类号
O484
字数
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-987X.2007.02.024
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
朱长纯
西安交通大学电子与信息工程学院
215
2372
22.0
41.0
2
商世广
西安交通大学电子与信息工程学院
6
10
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
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(/年)
版权信息
全文
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二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
氧化铟锡薄膜
磁控溅射
方块电阻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安交通大学学报
主办单位:
西安交通大学
出版周期:
月刊
ISSN:
0253-987X
CN:
61-1069/T
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1960-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
7020
总下载数(次)
0
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
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学科类型:
信息技术
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