直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究

• 作者: 商世广 朱长纯
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 氧化铟锡薄膜 磁控溅射 方块电阻
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 236-240
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2007.02.024

摘要

提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150 ℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350 ℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7 Ω降到66.8 Ω,相应的电阻率由4.1×10-3 Ω·cm降到7.9×10-4 Ω·cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	商世广	西安交通大学电子与信息工程学院	6	10	2.0	3.0