磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究

• 作者: 孙奉娄 张腾 钟志有 顾锦华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电薄膜 掺锡氧化铟 晶体结构 光电学性能
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 647-652,670
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3932字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响.当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4％)和最大的优良指数(7.9×102 S·cm-1),其光电综合性能最佳.同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙奉娄	中南民族大学电子信息工程学院	76	434	13.0	15.0
2	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
6	顾锦华	中南民族大学计算与实验中心	33	183	9.0	12.0
7	张腾	中南民族大学电子信息工程学院	6	50	5.0	6.0