钒掺杂氧化钨纳米线的制备与 电致变色/储能性能

• 作者: 张作胜 张勇 董森宇 陈传胜 汪涌
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: V元素 氧化钨 纳米线 电致变色
• 年，卷（期）: 2023,（7）
• 页码范围: 178-187
• 页数: 10页
• 语种: 中文

摘要

与Nb同族的V元素离子半径略小于W离子的半径，掺杂V元素可以提高氧化钨纳米线的离子扩散速率和结构稳定性。采用磁控溅射法和水热法制备V掺杂氧化钨纳米线薄膜，并通过场发射扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和电化学测量装置探究不同V掺杂量对样品形态、成分以及电致变色性能等方面的影响。结果表明：通过适当的V掺杂，样品的光学性能得到了提升。当V掺杂量为0.1%(原子分数)时，氧化钨薄膜表现出最佳的电致变色性能。晶面间距、V—O键的加强和氧空位浓度等因素是影响氧化钨薄膜电致变色性能的关键因素。本工作将为V掺杂氧化钨纳米线结构作为电致变色材料和器件的研究提供有益参考。