氮气载气MOCVD外延生长GaN成核层研究

• 作者: 刘磊 宿星亮 王申
• 来源期刊: 山西大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 外延生长 成核层 金属有机物化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 89-94
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 1741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13451/j.sxu.ns.2019061

摘要

在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对外延薄膜的质量有着重要的影响.因此,虽然氮气气氛下生长高质量成核层是一个难点,但从安全和成本角度来考虑,值得去攻克这个难点.文章在氮气气氛下使用Thomas Swan 2英寸19片MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)工业级生长设备在蓝宝石衬底上生长GaN成核层并利用原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)对样品表面进行表征.进一步研究了生长温度、生长时间、Ga源流量对GaN成核层的影响.结果 表明GaN成核层的生长时间在2 min内呈均匀单层生长,生长温度在750℃以下成核岛分布均匀,Ga源流量与GaN生长速率呈线性关系,可简单的通过控制Ga源流量控制GaN成核层生长速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	山西大学物理电子工程学院	8	21	3.0	4.0
2	宿星亮	山西大学物理电子工程学院	3	0	0.0	0.0
3	王申	山西大学物理电子工程学院	2	0	0.0	0.0