成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响

• 作者: 余春燕 孙佩 孙成真 尚林 张华 李天保 贾志刚
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 金属有机化学气相沉积 成核层 生长温度
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 页码范围: 2123-2129
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 4350字
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对GaN外延薄膜晶体质量的影响.结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的GaN外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度.过低或过高的成核温度都会导致GaN外延层的晶体质量和光电性能变差.