AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

• 作者: 崔明 张宝顺 范亚明 邢艳辉 钟林健 陈翔 霍文娟 韩军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN缓冲层 GaN Si衬底 张应力 MOCVD
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 727-731
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143506.0727

摘要

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对CaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响.研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力,避免GaN薄膜出现裂纹.在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹,受到的张应力为0.3 GPa,(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec,原子力显微镜测试得到表面粗糙度为0.2 nm.