缓冲层温度对Si(111)上GaN表面形貌影响

• 作者: 刘彩池 孙世龙 徐岳生 朱军山 滕晓云 赵丽伟
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN Si(111) 缓冲层 表面形貌
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: O472|O484.4
• 字数: 3178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.002

摘要

用不同温度的AlN缓冲层在Si(111)衬底上外延GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响, 分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响. 结果表明:缓冲层生长温度通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.较低温度下的AlN缓冲层,在衬底表面形成的成核颗粒因温度太低,无法运动到相邻的颗粒而结合成大的成核颗粒,因此成核密度高,成核尺寸小;高温生长的AlN缓冲层,成核颗粒有足够的能量运动到相邻的成核颗粒,因此使成核颗粒的尺寸增大,成核密度低.这种初始成核密度和尺寸的不同,造成外延层形貌的差异,如表面形貌中凹坑的密度和大小就是受初始成核的直接影响. 通过实验和分析,提出了外延生长的物理模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院	63	305	11.0	14.0
2	朱军山	河北工业大学材料学院	3	13	2.0	3.0
3	徐岳生	河北工业大学材料学院	21	163	7.0	12.0
4	赵丽伟	河北工业大学材料学院	7	21	2.0	4.0
5	滕晓云	河北工业大学材料学院	8	37	3.0	6.0
6	孙世龙	河北工业大学材料学院	4	2	1.0	1.0