Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

• 作者: 刘彩池 徐岳生 朱军山 滕晓云 赵丽伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si(111) GaN MOCVD DCXRD
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1167-1170
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.038

摘要

用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响.结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院	63	305	11.0	14.0
2	朱军山	河北工业大学材料学院	3	13	2.0	3.0
3	徐岳生	河北工业大学材料学院	21	163	7.0	12.0
4	赵丽伟	河北工业大学材料学院	7	21	2.0	4.0
5	滕晓云	河北工业大学材料学院	8	37	3.0	6.0