高温热蒸发法在金刚石表面镀覆SiO2的形貌与形成机理

• 作者: 张旺玺 张艳丽 梁宝岩 王俊和 王艳芝 穆云超 闫帅帅
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 热蒸发法 金刚石 氧化硅 涂层 形貌 生长机制
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 522-526
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.642
• 语种: 中文

摘要

采用高温热蒸发法在金刚石表面镀覆SiO2，用扫描电镜(SEM)、X线衍射(XRD)和能谱分析对SiO2的形貌与物相组成进行观察与分析，研究SiO2晶体的生长机制。结果表明，在较低温度下(1300℃)金刚石表面生成SiC和SiO2颗粒，无法形成涂层。温度升高到1400℃时，金刚石表面形成许多由C，Si，O元素组成的细小蝌蚪状组织。当温度升高到1500℃时，金刚石表面镀覆良好的Si-O涂层，Si-O涂层上有许多SiO2晶粒、微米棒与晶须。SiO2晶体的生长机制为：首先在金刚石表面沉积一层Si-O涂层，然后在该涂层上析出SiO2颗粒，在SiO2颗粒上进一步形成新的SiO2颗粒和晶须。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张旺玺	中原工学院材料与化工学院	113	529	12.0	17.0
2	王艳芝	中原工学院材料与化工学院	52	208	8.0	11.0
3	穆云超	中原工学院材料与化工学院	59	231	7.0	11.0
4	梁宝岩	中原工学院材料与化工学院	78	187	6.0	8.0
5	张艳丽	中原工学院材料与化工学院	19	25	3.0	4.0
6	闫帅帅	中原工学院材料与化工学院	6	8	2.0	2.0
7	王俊和	中原工学院材料与化工学院	7	11	2.0	3.0