Si原子在CeO2(111)表面吸附与迁移的第一性原理研究

• 作者: 任保根 刘学杰 吴锦绣 李梅 贾延琨 贾慧灵
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: Si CeO2 吸附 电子结构 迁移
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 化学
• 页码范围: 1214-1221
• 页数: 8页
• 分类号: O781
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.youxian.0693

摘要

为探究Si原子在CeO2(111)表面吸附的微观行为,采用第一性原理的方法研究了Si原子在CeO2(111)表面的吸附作用、电子结构和迁移过程,计算了Si原子在CeO2(111)表面的吸附能,最稳定及次稳定吸附位置的电子态密度与电荷密度分布、迁移激活能.计算结果表明:Si原子最易吸附于基底表层的O原子上,其中O桥位(Obri)吸附作用最强,O顶位(Ot)和O三度位(Oh)吸附强度次之.Si原子仅对其最邻近的表层O原子结构影响较大,这与Si原子及其最邻近的O原子间电荷密度重叠程度增强的结果一致.Si原子最易围绕着Ot位从Obri位向Oh位迁移,迁移所需激活能为0.849 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学杰	内蒙古科技大学机械工程学院	57	114	6.0	7.0
2	李梅	内蒙古科技大学材料与冶金学院	96	640	14.0	21.0
3	吴锦绣	内蒙古科技大学材料与冶金学院	20	126	6.0	11.0
4	贾慧灵	内蒙古科技大学机械工程学院	27	54	4.0	6.0
5	任保根	内蒙古科技大学机械工程学院	3	1	1.0	1.0
6	贾延琨	内蒙古科技大学机械工程学院	2	0	0.0	0.0