衬底材料及基底温度对Sc膜形貌、结构的影响

• 作者: 吴清英 罗顺忠 邴文增 陈静 龙兴贵
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电子束蒸发 钪 薄膜 衬底材料 基底温度
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 982-986
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

在不同基底温度下,用电子束蒸镀法在未抛光Mo、抛光Mo及Si<111>基片上制备了Sc膜,并用XRD、SEM及AFM对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析测试.结果表明:衬底材料、基底温度对Sc膜结构、形貌的影响极大.物相结构相同的Mo基底,抛光Mo上的Sc膜表面较平整,倾向于混合生长；而粗糙Mo基底上Sc膜凸凹不平,为岛状生长.提高基底温度有利于抛光Mo基底上Sc膜的(002)方向择优生长,但高温时会导致Si基底上膜表面的物相由单质Sc变为ScSi化合物,作为吸氢材料,ScSi化合物的形成不利于吸氢,应尽量避免其生成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙兴贵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	123	496	10.0	16.0
2	罗顺忠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	163	805	12.0	20.0
3	邴文增	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	24	66	5.0	6.0
4	陈静	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	22	93	6.0	9.0
5	吴清英	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	4	4	1.0	2.0