HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响

• 作者: 于斌 余春燕 张哲 李天保 许并社 贾伟 郭俊杰
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: InN InCl3 HCVD 取向 XRD
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 化学与化学工程·材料科学与工程
• 页码范围: 789-793
• 页数: 5页
• 分类号: TB321
• 语种: 中文
• DOI: 10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2020.06.002

摘要

实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si(111)衬底上的生长.探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对InN的晶体结构、形貌和元素组成进行表征.分析结果表明:固定NH3流量,随着生长温度的升高,InN形貌由分离的薄片状转变为交织的圆饼状,其中非极性(100)晶面取向性增强,晶体质量得到改善;保持生长温度恒定,增加氨气流量,InN形态由圆饼状转变为垂直的柱状,晶体取向从由非极性面(100)为主向极性(002)面为主的趋势转变.本实验研究对InN纳米材料的可控生长具有指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许并社		335	3432	28.0	45.0
2	于斌		6	22	2.0	4.0
3	李天保		22	187	9.0	13.0
4	郭俊杰		25	19	2.0	3.0
5	贾伟		8	23	2.0	4.0
6	余春燕		13	130	6.0	11.0
7	张哲		5	33	2.0	5.0