Ar气流量对石墨表面CVD TaC涂层生长与表面形貌的影响

• 作者: 张帆 李国栋 熊翔 陈招科
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: TaC 化学气相沉积 稀释气体流量 择优取向
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 484-490
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2010.05.013

摘要

用C3H6作为碳源气,Ar作为稀释气体和载气,TaCl5为钽源,采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)在高纯石墨表面制备TaC涂层.采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等对涂层进行表征,研究1 000℃下稀释气体(Ar)流量对TaC涂层成分、织构及表面形貌的影响.结果表明:随着稀释气体流量增大,表面均匀性和光滑度提高,晶粒尺寸减小,晶体择优取向降低,沉积速率减小,涂层中C含量增多.当稀释气体流量为100mL/min时,TaC涂层晶粒尺寸与沉积速率分别为32.5 nm和0.60 μm/h;而当稀释气体流量增大到600 mL/min时,涂层晶粒尺寸与沉积速率分别下降到21 nm和0.25 μm/h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊翔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	345	3793	27.0	39.0
2	李国栋	中南大学粉末冶金国家重点实验室	53	255	9.0	11.0
3	陈招科	中南大学粉末冶金国家重点实验室	48	514	12.0	21.0
4	张帆	中南大学粉末冶金国家重点实验室	52	156	8.0	10.0