衬底温度对共蒸法制备CIGS薄膜结构和形貌的影响

• 作者: 孙永健 杨伟锋 郭射宇
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: CIGS 一步法 薄膜太阳电池 衬底温度
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 460-464
• 分类号: TM615
• 语种: 中文

摘要

采用一步共蒸法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜,研究讨论不同衬底温度条件对制得薄膜结构和形貌的影响.薄膜的结构和形貌分别利用X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)进行检测.结果表明,衬底温度对CIGS薄膜的生长有很大的影响,当温度为250℃时,开始有CIGS晶相生成;随着温度的升高晶体颗粒逐渐增大;当温度达到450℃时,生成了结晶度较好(112)择优取向的CuIn0.7Ga0.3Se2相,制得的CIGS薄膜初步达到制备CIGS电池的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙永健		2	7	1.0	2.0
2	杨伟锋		1	0	0.0	0.0
3	郭射宇		1	0	0.0	0.0