衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响

• 作者: 何军辉 刘拥军 刘振华 张春伟 王书昶
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 ZnO:Ga薄膜 衬底温度 光电性能
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 23-25,34
• 分类号: O484.4
• 字数: 3270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.05.007

摘要

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响.研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜.随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大.当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10<'-4>Ω·cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书昶	扬州大学物理科学与技术学院	8	21	3.0	4.0
2	刘振华	扬州大学物理科学与技术学院	10	67	5.0	8.0
3	刘拥军	扬州大学物理科学与技术学院	24	90	5.0	8.0
4	何军辉	扬州大学物理科学与技术学院	18	30	3.0	4.0
5	张春伟	扬州大学物理科学与技术学院	7	16	3.0	4.0