电子元件与材料期刊
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 作者: 周东祥 孙荣光 胡云香
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  1-5
    摘要: 采用3ZnO-2B2O3玻璃与Al2O3和TiO2复合烧结制备了锌硼玻璃基低温共烧陶瓷复合材料,研究了TiO2/Al2O3质量比对所制复合材料相组成和微波介电性能的影响.结果表明:随着TiO...
  • 作者:
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  5,16,24,28,37,44,49,66,70
    摘要:
  • 作者: 李谦 杨留栓 王应 顾永军 黄金亮
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  6-9
    摘要: 采用传统的固相反应法制备了0.4CaTiO3.0.6(Li1/2Nd1/2)TiO3(CLNT)微波介质陶瓷,研究了复合添加BaCu(B2O5)(BCB)和2ZnO-B2O3(ZB)玻璃对C...
  • 作者: 喻佑华 夏萌 李海南
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  10-12
    摘要: 以分析纯ZnO和TiO2为原料,NaCl-KCl为熔盐,采用熔盐法合成了纯相ZnTiO3粉体.研究了煅烧温度,保温时间以及盐与原料的质量比等因素对所制粉体的微观结构的影响.结果表明:当盐与原...
  • 作者: 何建平 史霄 吕文中 汪小红
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  13-16
    摘要: 采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能...
  • 作者: 崔斌 杜峰涛 游桥明 牛瑞媛 畅柱国
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  17-20,24
    摘要: 为了提高BaTiO3陶瓷的介电性能并降低烧结温度,采用溶胶-凝胶法合成的Zn-B-Si-O(ZBSO)纳米复合物和BaTiO3粉体为原料制备了BaTiO3陶瓷.通过XRD,SEM、EDXA和...
  • 作者: 任巍 阎鑫
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  21-24
    摘要: 采用溶胶一凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡/铋锌铌多层复合薄膜样品.研究了不同退火温度下多层复合薄膜的结构、微观形貌及介电性能.结果表明:在退火温度高于700℃时,所得...
  • 作者: 宋胜胜 廖海玮 郝永德 高峰
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  25-28
    摘要: 利用水热法制备了纳米TiO2粉体,分别利用该粉体和经过氢氧化钠溶液水热处理后的粉体涂覆在导电玻璃上制备成薄膜,然后组装为染料敏化太阳能电池.利用XRD和SEM对该薄膜进行表征,并用I-V测试...
  • 作者: 周东祥 简刚 郑亚楠 龚树萍
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  29-32,37
    摘要: 利用电泳沉积法在Pt/Al2O3衬底上成功制备了纳米CoFeqO4厚膜,分析了电泳沉积纳米CoFe2O4厚膜的影响因素.利用Zeta电势测试仪测试了悬浮液的Zeta电势和电导率,利用X射线衍...
  • 作者: 丘泰 杨建 王加仟 金宇龙
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  33-37
    摘要: 采用传统氧化物法制备了Y2.7Ca0.3Zr0.3Fe4.70-δO12(0≤δ≤0.15,YCaZrIG)石榴石型铁氧体,研究了烧结温度及缺铁量对铁氧体相组成、烧结性能、显微结构及电磁性能...
  • 作者: 于欣伟 张家文 赵国鹏 郑文芝 陈姚
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  38-40
    摘要: 实验合成了支链多碳二元羧酸(SCPDA),并研究了其性能.结果表明:SCPDA的分解温度超过200℃,耐热稳定性比癸二酸好.相同条件下,支链多碳二元羧酸铵(SCPDAA)电解液的性能(030...
  • 作者: 张莉 李琛 王凯 苏二勇
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  41-44
    摘要: 为了精确表征双电层超级电容器在静态储能过程中的电荷分布情况及其时间常数,根据电磁场理论建立了一种矩阵式系数的数学模型.所建立的模型以四阶矩阵中的元素来描述双电层电容量与其上电压、电荷的关系,...
  • 作者: 史洪宾 吴金昌 钱原贵
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  45-49
    摘要: 采用印制电路板级集成电路进行剪切试验,对比了十组使用不同粘结材料及不同点胶方式的薄型球栅阵列封装(TCBGA)组件和一组未使用粘结材料的组件的剪切特性.结果表明,这些粘结材料均不同程度地提高...
  • 作者: 常红 李明雨
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  50-52,58
    摘要: 为了研究电迁移过程中焊点与焊盘界面金属问化合物(IMC)的变化,在28℃下,对无铅Sn3.0Ag0.5Cu焊点进行了6.5A直流电下的电迁移实验.结果发现,通电144h后,阳极侧IMC层变厚...
  • 作者: 李东南 李巍 田君 郝虎
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  53-55
    摘要: 于Sn3.8Ag0.7Cu钎料中添加过量的稀土Ce会在其内部形成大尺寸的稀土相CeSn3,将稀土相CeSn3暴露于空气中,研究在时效处理过程中时效温度对其表面Sn晶须生长的影响规律.结果表明...
  • 作者: 王亚盛
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  56-58
    摘要: 不同BGA封装结构的元器件在回流焊过程中,由于其焊球的受热路径和热阻不同,导致焊球受热不均匀、PCB变形甚至引起IC芯片的"虚接触",严重影响BGA元器件的焊接质量.通过对BGA封装元器件受...
  • 作者: 吴君 邓腾彬
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  59-62
    摘要: 通过奇偶模分析方法,得到了可变阻抗任意分贝二分支集总元件定向耦合器的设计公式,并给出了8种拓扑结构,然后通过级联得到了三分支可变阻抗任意分贝集总元件定向耦合器的设计公式及拓扑结构.经ADS仿...
  • 作者: 刘斌 尹立孟 李镇康
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  63-66
    摘要: 研究了不同电迁移时间(0~96 h)和电流密度(0~1.52×104A/cm2)对Sn-3.0Ag-0.5Cu微焊点振动疲劳行为的影响.结果显示,在电迁移时间和电流密度均为0时,微焊点的振动...
  • 作者: 张敏刚 张真真 柴跃生 陈峰华
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  67-70
    摘要: Ni-Mn-Ga合金是一种新型的智能材料,兼具铁磁性和形状记忆效应的双重优点,以对磁场的快速响应和大的宏观可恢复应变的特点有望成为传感器和驱动器的候选材料.通过掺入金属元素可以弥补该合金马氏...
  • 作者: 刘文胜 罗莉 马运柱
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  71-74
    摘要: 添加适量的稀土元素可以有效提高无铅钎料(如SnAgCu,SnZn)的性能,尤其是添加稀土的SnAgCu钎料的蠕变断裂寿命是未添加时的7倍.针对添加微量稀土元素对无铅钎料润湿性、力学性能、蠕变...
  • 作者: 王兰义
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  75-78
    摘要: 介绍了水基流延法制备多层ZnO压敏电阻器的现状和重要性.分析了粘合剂、分散剂及浆料流变特性等对水基流延的影响,并指出了改进办法.通过比较几种水基流延用粘合剂对多层ZnO压敏电阻器电性能的影响...
  • 作者: 丘泰 冯永宝 李玉娇
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  79-83
    摘要: 在介绍吸波材料分类与原理的基础上,归纳了目前吸波材料中基体的应用与研究进展,总结了基体材料研究中的问题,指出提高高分子基体的耐温耐候性能、提高无机吸波材料的韧性及增加吸收剂的填充量是今后吸波...

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

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