SiO2掺杂对BST-MgO陶瓷微观结构和介电性能的影响

• 作者: 何建平 史霄 吕文中 汪小红
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 钛酸锶钡 氧化镁 二氧化硅掺杂 介电性能 可调率
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 13-16
• 分类号: TM22
• 字数: 2542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.04.004

摘要

采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响.XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与MgO反应生成Mg2SiO4.质量分数x为0.5%的SiO2掺杂提高了BSTM陶瓷的致密度及可调率,并降低了其微波损耗,此时,陶瓷样品的可调率为16.21%,Q·f=109.5 GHz.随着SiO2掺杂量的进一步增加,BSTM陶瓷的可调率有所提高,介电常数逐渐降低,微波品质因数先降后升.在x=3.0%时,BSTM陶瓷的可调率达17.6%,Q·f=89GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
2	何建平	华中科技大学电子科学与技术系	8	67	4.0	8.0
3	汪小红	华中科技大学电子科学与技术系	28	370	11.0	19.0
4	史霄	华中科技大学电子科学与技术系	2	4	1.0	2.0