不同含锰化合物掺杂对BST-MgO陶瓷介电性能的影响

• 作者: 史霄 吕文中 汪小红
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡 氧化镁 锰掺杂 介电性能 可调率
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-3,17
• 分类号: TM22
• 字数: 2822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.04.001

摘要

采用普通固相反应法制备了0.45Ba0.55Sr0.45TiO3-0.55MgO-Mn(NO3)2/MnCO3(简称BST-MgO)陶瓷,通过XRD和SEM研究了不同形态含锰化合物(固态MnCO3及液态Mn(NO3)2)掺杂对所制BST-MgO陶瓷致密化及微波介电性能的影响.结果表明,液态Mn(NO3)2掺杂可以增加锰离子进入BST晶格的几率,同时抑制镁离子进入BST晶格,提高BST-MgO陶瓷的致密度,降低介质损耗,获得较高的综合性能:10 kHz下εr=116,tanδ=0.003 8,可调率(Tu)为19.64％,优值K=51.68; 3GHz时Q·f值达788 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
2	汪小红	华中科技大学电子科学与技术系	28	370	11.0	19.0
3	史霄	华中科技大学电子科学与技术系	2	4	1.0	2.0