MOCVD生长GaN和GaN:Mg薄膜的对比研究

• 作者: 冯倩 王峰祥 郝跃
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN:Mg 异质外延 X射线衍射 扫描电子显微镜 拉曼散射
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 201-204
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.03.011

摘要

对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN:Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现:两种样品均处于张力作用之下,但是GaN:Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度,致使薄膜质量变差;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力,从而使薄膜张力减小,最后通过计算说明对于GaN:Mg样品而言,除了载流子以外,薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	冯倩	西安电子科技大学技术物理学院	35	224	7.0	13.0
6	王峰祥	西安电子科技大学微电子研究所	5	22	4.0	4.0