GaN受激喇曼散射谱研究

• 作者: 李爱珍 林景瑜 江红星 胡国华 陈光德 齐鸣
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: GaN 喇曼散射 金属有机物气相沉积法 分子束外延法
• 年，卷（期）: 2000,（10）
• 所属期刊栏目: 研究简讯
• 页码范围: 103-105
• 页数: 3页
• 分类号: O49
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2000.10.024

摘要

对GaN样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析,其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积(MOCVD)法和分子束外延(MBE)法生长的.观测到了纤锌矿结构GaN的允许模式A1(LO)模和E2(高)模,同时也观测到了一些禁戒模式.结果表明:受激喇曼散射是研究GaN结构的一种有效手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光德		65	517	13.0	18.0
2	胡国华		1	1	1.0	1.0
3	齐鸣	中科院上海冶金研究所	2	1	1.0	1.0
4	李爱珍	中科院上海冶金研究所	1	1	1.0	1.0
5	林景瑜		1	1	1.0	1.0
6	江红星		1	1	1.0	1.0