GaN和p型GaN薄膜中声子模和缺陷模的变温喇曼散射

• 作者: Jang H X LIN J Y 王瑞敏 陈光德
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN p型GaN 喇曼散射 缺陷模
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 635-640
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 1015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.001

摘要

研究了MOCVD生长的GaN及掺Mg GaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺Mg GaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是缺陷诱导的散射峰,而非电子散射和Mg的局域模.同时讨论了两个谱中E2和A1(LO)声子峰的频率和线形.在掺Mg GaN样品中观察到应力松弛现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光德	西安交通大学理学院	65	517	13.0	18.0
2	王瑞敏	西安交通大学理学院	10	30	3.0	5.0