He+、N+注入GaN的背散射和电学特性研究

• 作者: 周生强 姚淑德 孙昌 孙长春 焦升贤
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: GaN 离子注入 背散射/沟道 电阻率 辐照损伤
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN204
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2003.01.008

摘要

采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质.研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系.在不同温度下,氮气保护退火 30 min,用Hall法测量电阻率.测量结果表明:GaN 的电阻率增大7～8个数量级.在200～400 ℃下退火,电阻率变化最大.经高温(600～700 ℃)退火后,电阻率仍比注入前大3～4个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚淑德	北京大学技术物理系	22	100	5.0	9.0
5	孙昌	北京大学技术物理系	2	5	1.0	2.0
6	周生强	北京大学技术物理系	6	14	2.0	3.0
7	孙长春	北京大学技术物理系	3	8	2.0	2.0
8	焦升贤	北京大学技术物理系	1	0	0.0	0.0