掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究

• 作者: 周生强 宋淑芳 朱建军 许振嘉 陈维德 陈长勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN Er 离子束分析 光致发光
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2558-2562
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.10.037

摘要

采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高,薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外PL峰强度增加;但是当退火温度达到1000℃,样品的PL峰强度明显下降;测量温度从15K变化到300K时,样品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm处PL温度猝灭为30%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈维德	中国科学院半导体研究所	12	35	4.0	5.0
5	陈长勇	中国科学院半导体研究所	5	69	4.0	5.0
9	宋淑芳	中国科学院半导体研究所	11	65	5.0	7.0
13	许振嘉		8	24	3.0	4.0
14	周生强	北京大学技术物理系	6	14	2.0	3.0
15	朱建军	中国科学院半导体研究所	17	121	5.0	10.0